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儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能

英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采纳节省空间的SuperSO8封装,与先前型号比拟,具有更高的功率密度和稳健性,从而低落系统资源和提升整体机能。

因为具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以优越的性价比低落损耗。此外,通管壳(JuncTIon to Case (RthJC)) 的较低热阻供给了出色的散热机能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向规复电荷(Qrr)经由过程明显减小电压过冲来前进系统靠得住性,从而最大年夜限度地削减对缓冲电路的需求,同时也削减了工程资源和事情量。

这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的事情结温下具有更高功率,或者在相同的事情结温下具有更长应用寿命的设计。此外,跟着额定温度的增添,安然事情区域(SAO)亦改良了20%。

这些BiC MOSFET具有出色的机能数据,异常得当电信、办事器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等利用。英飞凌OpTIMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。

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